高通的下一个旗舰级片上系统将是Snapdragon 835 。 该公司最近推出了这种新一代处理器，取代了当今硬件中流行的Snapdragon 821和820，以及当前Snapdragon系列的200多种设计。

该公司没有透露有关其新设计芯片架构的许多细节。 到目前为止，我们对Snapdragon 835处理器的了解是：

• 该芯片采用10nm（纳米）三星FinFET技术制造，与821上使用的14nm工艺相比，它成为业界首个半导体工艺技术。
• 该处理器由纳米材料制成，分子和小于100纳米（nm）的原子表现出与较大粒子等效的不同特性：某些增强的纳米材料特性包括更轻的重量，更高的强度和更高的化学反应性。

此外，三星声称10nm工艺可以测量面积效率提高30％，性能提高27％或功耗降低40％的某种组合-相对于该公司的上一代Snapdragon 820来说，大概是在类似的工作负载方面系列。

我们很高兴能够继续与三星合作，共同开发引领移动行业的产品。”高通技术公司产品管理高级副总裁Keith Kressin说。 Inc.公司表示：“预期使用新的10nm工艺节点将使我们的高级Snapdragon 835处理器具有更高的能效并提高性能，同时还使我们能够添加许多新功能，从而改善未来移动设备的用户体验。

高通公司将其10毫微米节点归功于其Quick Charge技术 ，该技术旨在通过USB电缆产生最大电压和电流，从而提高电源效率和整体设备性能。 但是，没有任何强大的功能具有其自身的局限性，对于这一特定功能，这是USB电缆中连接的非标准信号传输和非标准使用，众所周知这会引发一些不兼容的问题。

此外，据称快速充电技术可将充电时间缩短20％，并且仅需充电5分钟即可提供长达5小时的电池寿命。 高通公司的说法基于对2750mAh电池的内部测试，该电池是目前市场上普通高端智能手机的标准尺寸电池。

高通骁龙835芯片将于明年初在市场上亮相。